高纯铝溅射靶材行业的发展情况。随着电子新材料行业的快速发展,以高纯铝为基础的电子新材料产品(包括靶材)需求将保持高速增长。十一五期间，我国“国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“大尺寸超高纯铝靶材的制造技术”重点项目申请指南”要求达到的目标是：通过超高纯铝及铝合金靶材制备加工过程中的关键技术攻关，全面掌握应用于大规模集成电路制造和TFT-LCD制造的大尺寸超高纯铝及铝合金靶材的制备加工技术;制备出满足大规模集成电路制造用和TFT-LCD使用要求的超高纯铝及铝合金靶材产品;为在我国形成一个从超高纯铝精炼提纯到靶材加工的完整产业链提供关键技术支撑。国内铝电解电容器需求将以年均13-15%的速度增长。随着我国存储盘及半导体制品国产化，高纯铝靶材的需求量将会进一步增加，市场前景广阔。

　　据统计，国内每年高纯铝的缺口在十几万吨左右。到2008年末可生产高纯铝的企业可有8个，总生产能力约5.7万吨，到2012年可生产高纯铝的企业可增至11个，总生产能力有可能达到12.5万吨。相信随着国内生产工艺的发展，产品质量的提高，高纯铝将是铝工业发展的新方向。从高纯铝靶材的上游供应情况来看，我国高纯铝产量并不高，也不能满足国家高纯铝靶材生产所需。其余所需只能来源于进口。目前我国高纯铝年产量约为5万吨，产品供不应求。